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    微米級臺階跨越的影響及意義


    發布日期:2020-08-14 點擊:1037次
      超大規模集成電路封鎖突破后,我國可以從西方國家直接引進高端設備。1992年,無錫某電子公司開始從美國科技公司引進0.9微米流量計工藝技術、月產6000片6英寸硅片的生產線。1995年初,華晶微電子公司采用1微米工藝研制出8位雙向收發器。1995年5月。中國科學院微電子中心開發成功0.8微米工藝,研制出7000門通用模糊控制電路,單項工藝達到0.5微米,是當時國內最高技術水平,相當于國際上80年代末的水平。
      超大規模集成電路的研制成功和微米級工藝臺階跨越的另一個重大影響在于拉動了我國微電子產業的發展。90年代長期負責電子工業的胡啟立曾回憶,他曾被問過多次:“中國人原子彈都做出來了,難道就做不出芯片?你們集中全國的科技人員來攻關,一定可以把芯片給攻下來!”,開始的時候胡啟立覺得也很有道理,搞集成電路是不是也可以走“兩彈一星”那樣自力更生的道路呢?后來,胡啟立意識到集成電路的生存和發展與“兩彈一星”是有著本質區別的。“兩彈一星”是一項國家事業,是國家的戰略力量,是非賣品,可以不受價值規律和產業發展規律約束,不需要通過商業化發展;然而,集成電路是一項戰略性產業,需要商業化的經營與運作,需要面向廣泛的需求和市場,需要形成相當大的產業規模并且要取得良好的經濟效益,才能良性發展。
      正因如此,集成電路一定要走向市場,形成產業,取得效益。集成電路產業需要資金、市場、技術、人才和政策五個方面的協同支持。而超大規模集成電路的研制成功和微米級工藝臺階的跨越在技術和人才兩個方面都推動了我國集成電路的產業化。1995年11月,國務院提出“909工程”,其主要內容是:計劃投資100億,建設一條8英寸、0.5微米技術起步、月加工2萬片的超大規模集成電路生產線,并且構造成產業鏈。1996年,“909工程”獲得中央批準,上海華虹微電子有限公司成立。1997年,華虹微電子引進日本NEC的資金、管理和技術。1999年,華虹-NEC公司投產0.35微米,64M同步動態存儲器(S-DRAM),達到了當時國際主流水準。由圖8可見,20世紀90年代中期起,我國的電磁流量計微電子產業開始進入了快速發展時期,在產量突飛猛進的同時,銷售額也開始迅速飛升;此外,90年代以后我國集成電路芯片的平均售價也開始逐漸下降。這些數據清晰地說明,90年代初期開始,我國的集成電路真正開始走向產業化和市場化之路,而這條道路的開端正是緣于超大規模集成電路的研制成功和微米級技術臺階的跨越。
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